Panasonic a Renesas Technology budú spolupracovať na vývoji novej generácie 32nm čipu

Tlačový servis  /  14. 11. 2008, 00:00

Spoločnosti Panasonic Corporation a Renesas Technology sa rozhodli nadviazať na úspešnú desaťročnú spoluprácu v oblasti vývoja nových technológií a spoločne sa podieľajú na vývoji novej 32nm výrobnej technológie pre čip SoC. Obe spoločnosti veria, že ich technológia 32nm tranzistora bude čoskoro implementovaná do masovej výroby.

Očakáva sa, že SoC vo verzii 32nm ponúkne podstatne nižšie náklady a zároveň vyšší výkon, ktorý bude umožnený výraznou miniaturizáciou. Skôr, ako bude možné túto technológiu uviesť na trh, bude treba vyriešiť čiastkové úlohy, a to napríklad úniky cez hradlá a nekonzistentné napätie, ktoré často sužujú súčasné technológie.

Nový 32nm SoC používa úplne novo vyvinutú tranzistorovú technológiou postavenú na štruktúre metal/high-k(1) a prepájacej technológii využívajúcej materiál ultra-low-k(2). Aby bolo možné vyrobiť prístroj, ktorý bude používať doplnkovú technológiu CMIS(3) a typ doplnkových CMOS, v 32nm node, je potrebné aplikovať za optimalizovaných podmienok veľmi jemnú vrstvu(4) fólie na úrovni atómov na tranzistory so štruktúrou metal/high-k. To následne umožňuje vyvinúť konvenčnú tranzistorovú konfiguráciu a použiť ako izolačnú vrstvu brány oxidovanej kremičitej fólie. Ukázalo sa, že povrchová vrstva zvyšuje spoľahlivosť tranzistorov v praktickom použití a zabraňuje distribúcii elektrických nepravidelností medzi tranzistormi, čím umožňuje prevádzku väčších obvodov.

Obaja partneri úzko spolupracovali na vývoji novej generácie technológie SoC ešte pred založením spoločnosti Renesas Technology. Ich doterajšia spolupráca už priniesla vynikajúce výsledky: v roku 2001 bol vyvinutý kompozitný proces 130nm DRAM, v roku 2002 90nm SoC, v roku 2004 kompozitný proces 90nm DRAM, v roku 2005 65nm SoC a v roku 2007 45nm SoC.

 

Posledná novinka vo forme 32nm bude aplikovaná na SoC pre technologicky vyspelé mobilné zariadenia a digitálne domáce spotrebiče.

 

Poznámky:

  1. Metal/high-k: Typ tranzistora riadeného poľom, v ktorom terminály a izolátory brány sú v konfigurácii stack. Terminály brány sú vyrobené z kovu, izolátory z materiálu high-k. Najčastejšie používaným high-k materiálom je hafnium.

  2. Ultra-low k: Materiál s extrémne nízkou priepustnosťou, a to aj v porovnaní s inými nízko priepustnými materiálmi používanými pri izolácii.

  3. CMIS: Typ doplnkového tranzistora riadeného poľom, v ktorom sú terminály brán oddelené elektricky izolačnou fóliou. V tranzistoroch CMOS sú izolačné vrstvy CMIS brány vyrobené z oxidovaného kremíka.

  4. Ultra tenká vrstva fólie: ultra-tenká vrstva, ktorej účelom je upravovať prahovú hodnotu tranzistora. To prispieva k vyššej spoľahlivosti tranzistora a pomáha potláčať výkyvy elektrického napätia.

Neprehliadnite: